[发明专利]改善热载流子注入损伤的离子注入方法

摘要

一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法，包括：在硅衬底上形成至少一个晶体管区域，至少一个晶体管区域包括有源区和浅沟槽隔离，在有源区上形成栅极、源极区和漏极区；在硅衬底上淀积侧墙层，使侧墙层将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；在硅衬底上旋涂光刻胶，将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；对光刻胶进行光刻，去除覆盖在漏极区域的光刻胶；对漏极区域进行紫外线处理；去除源极区上的光刻胶；对侧墙层进行干法刻蚀以形成侧墙，其中形成侧墙仅覆盖栅极两侧，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除；对所述至少一个晶体管区域进行离子注入以分别在源极区32和漏极区中形成晶体管的源极和漏极，从而形成所述至少一个晶体管区域的晶体管。

主权项

一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于包括：第一步骤，在硅衬底上形成至少一个晶体管区域，所述至少一个晶体管区域包括有源区和浅沟槽隔离，在有源区上形成栅极、源极区和漏极区；第二步骤，在硅衬底上淀积一层侧墙层，使侧墙层将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；第三步骤，在硅衬底上旋涂光刻胶，将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；第四步骤，对光刻胶进行光刻，以去除覆盖在漏极区域的光刻胶；第五步骤，对去除了光刻胶的漏极区域进行紫外线处理；第六步骤，去除源极区上的光刻胶；第七步骤，对侧墙层进行干法刻蚀以形成侧墙，其中形成侧墙仅覆盖栅极两侧，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除；其中，源极侧的侧墙部分的厚度小于漏极侧的侧墙部分的厚度；第八步骤，对所述至少一个晶体管区域进行离子注入以分别在源极区32和漏极区中形成晶体管的源极和漏极，从而形成所述至少一个晶体管区域的晶体管。