[发明专利]改善热载流子注入损伤的离子注入方法

权利要求书

1.一种改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于包括：

第一步骤，在硅衬底上形成至少一个晶体管区域，所述至少一个晶体管区域包括有源区和浅沟槽隔离，在有源区上形成栅极、源极区和漏极区；

第二步骤，在硅衬底上淀积一层侧墙层，使侧墙层将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；

第三步骤，在硅衬底上旋涂光刻胶，将栅极、源极区和漏极区全部覆盖；

第四步骤，对光刻胶进行光刻，以去除覆盖在漏极区域的光刻胶；

第五步骤，对去除了光刻胶的漏极区域进行紫外线处理；

第六步骤，去除源极区上的光刻胶；

第七步骤，对侧墙层进行干法刻蚀以形成侧墙，其中形成侧墙仅覆盖栅极两侧，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除；其中，源极侧的侧墙部分的厚度小于漏极侧的侧墙部分的厚度；

第八步骤，对所述至少一个晶体管区域进行离子注入以分别在源极区32和漏极区中形成晶体管的源极和漏极，从而形成所述至少一个晶体管区域的晶体管。

2.根据权利要求1所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，所述至少一个晶体管区域的晶体管的PMOS晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，在第五步骤中，在紫外线处理中，紫外线的波长为150纳米到400纳米之间，处理的时间为300S。

4.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，在第五步骤中，紫外线处里前后漏极区域的刻蚀比在1.5-2.5之间。

5.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，在第五步骤中，在紫外线处理中，装载硅片的基板的温度在300度到480度之间。

6.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，在第七步骤中，采用各项异性的干法刻蚀对侧墙层进行干法刻蚀以形成侧墙。

7.根据权利要求6所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，法刻蚀的横向刻蚀速率低于纵向刻蚀速率。

8.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，在第七步骤中，刻蚀经过紫外线处理的漏端和未经紫外线处理的源端的的刻蚀比在0.5-0.75之间。

9.根据权利要求1或2所述的改善热载流子注入损伤的离子注入方法，其特征在于，漏极侧的侧墙部分的厚度与源极侧的侧墙部分的厚度之比在1.5-2.5之间。