[发明专利]膜轮廓

摘要

本发明涉及膜轮廓。一种光电器件包括第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的半导电材料，以及限定包围表面层区域的阱的电绝缘堤部结构，表面层区域包括所述第一电极，该器件具有光腔，包括：完全光反射层；部分光反射层；以及包括至少一个可溶液加工层的层结构，该层结构包括半导电材料并且位于完全光反射层和部分光反射层之间。表面层区域包括一个反射层并且可溶液加工层位于表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡上。将完全光反射层和部分光反射层布置成为层结构中生成的光提供谐振腔，并且侧壁具有从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的更陡的第二斜坡。

主权项

1.一种光电器件，包括具有表面层以及在所述表面层上限定阱的堤部结构的基板，堤部结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁而由此限定阱，该表面层区域包括第一电极，并且该器件还包括第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的半导电材料，该器件具有光腔，包括：完全光反射层；部分光反射层；及包括至少一层的层结构，所述层结构中的至少一层是可溶液加工层，该层结构包括所述半导电材料并且位于完全光反射层和部分光反射层之间，其中所述表面层区域包括其中一个反射层，并且所述可溶液加工层位于所述表面层区域上及所述侧壁的第一斜坡和第二斜坡上，其中完全光反射层和部分光反射层被布置成为在层结构中生成的光提供谐振腔，其中：所述侧壁具有从所述表面层区域延伸的第一斜坡和从所述第一斜坡延伸的第二斜坡，其中所述第一斜坡没有所述第二斜坡陡，并且所述层结构中的至少一层的厚度柱状图的半高全宽小于5nm，所述厚度是位于至少所述表面层区域的基本上规律隔开的各个点之上的厚度，所述点包括位于所述表面层区域和所述侧壁之间的边界处的第一个点和在表面层区域上并且与所述边界隔开至少10μm的第二个点。