[发明专利]膜轮廓

说明书

本发明涉及膜轮廓。一种光电器件包括第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的半导电材料，以及限定包围表面层区域的阱的电绝缘堤部结构，表面层区域包括所述第一电极，该器件具有光腔，包括：完全光反射层；部分光反射层；以及包括至少一个可溶液加工层的层结构，该层结构包括半导电材料并且位于完全光反射层和部分光反射层之间。表面层区域包括一个反射层并且可溶液加工层位于表面层区域上以及侧壁的第一斜坡和第二斜坡上。将完全光反射层和部分光反射层布置成为层结构中生成的光提供谐振腔，并且侧壁具有从表面层区域延伸的第一斜坡和从第一斜坡延伸的更陡的第二斜坡。

技术领域

本发明大体上涉及包括基板的光电器件，其中基板具有表面层以及所述表面层上限定阱的堤部结构，还涉及构造包括基板的光电器件的方法，其中基板具有表面层以及在所述表面层上的限定阱的堤部结构。

背景技术

已经广泛调研了用于制造电子器件的、涉及从溶液淀积活性成分的方法(溶液加工)。如果活性成分是从溶液淀积的，则该活性成分优选地包含在基板的期望区域内。这可以通过提供包括构图的堤部(bank)层的基板来实现，构图的堤部层限定阱，在所述阱中活性成分可以从溶液淀积。阱在其干燥时包含溶液，使得活性成分保留在由阱限定的基板的区域中。这可以允许与底板的集成，而不需要淀积之后的构图步骤，淀积之后的构图步骤会显著地增加成本。

已经发现这些方法对于从溶液淀积有机材料是特别有用的。有机材料可以是导电的、半导电的，和/或光电活性的，使得它们可以在电流通过它们时发射光或者通过在光撞击到它们之上时生成电流来检测光。使用这些材料的器件被称为有机电子器件。如果有机材料是光发射材料，则器件被称为有机光发射器件(OLED)。此外，溶液加工允许薄膜晶体管(TFT)并且尤其是有机薄膜晶体管(OTFT)的低成本、低温制造。在这种器件中，特别期望在正确的区域并且尤其是器件的通道中包含有机半导体(OSC)，并且可以提供限定阱的堤部，以便包含OSC。

有些器件可能需要多于单个溶液淀积层。典型的OLED，诸如在显示器中使用的OLED，可以具有两层有机半导体材料—其一可以是一层发光材料，诸如发光聚合物(LEP)，而另一层可以是一层空穴传输材料，诸如聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物。

如果，例如，一个或多个器件层跨器件活性区域显示非均质的厚度，则具有堤部结构的光发射或吸收器件跨活性区域可能具有差的颜色和/或光发射效率的一致性。一般而言，器件可以设计成发射或吸收单一的一般颜色的光，例如，红色、绿色或蓝色，其中心在CIE颜色空间中特定的目标频率和/或点上。例如，器件可以设计成具有CIE 1976颜色空间(CIELUV)中的特定坐标u’和v’。但是，需要提高现有器件中的颜色均匀性。类似地，需要提高器件中电-光能量转换(或者反过来)(具体而言是到目标光频率或频谱/来自目标光频率或频谱和/或到用于提供目标CIE点的光的这种转换)的整体效率或者效率的均匀性。

进一步考虑效率和成本，应当注意，有利地简单的堤部结构具有设计成相应地包含所有这些淀积的液体的单一材料/层。但是，对于对所有淀积的液体具有单个堤部材料和单个钉扎点的器件，在溶液淀积层任一侧的电极之间存在电泄漏路径或短路的风险。例如，在包括阳极-HIL-IL-EL-阴极结构的OLED结构中，泄漏电流会经HIL边界上的泄漏路径在阳极和阴极之间流动。类似地，泄漏路径可以由在阴极直接接触堤部上的空穴注入层(HIL)、堤部上非常薄的器件堆栈或者处于钉扎点的点接触造成。当被反向驱动和/或在接通之前，完全印制的器件的JV(电流密度-电压)曲线会例如显示高泄漏(高电流)。当具有旋涂(spin)的中间层(IL)和电致发光层(EL)时，因为HIL在顶上被旋涂的膜完全覆盖，所以泄漏低得多。这会导致低得多的效率。