[发明专利]膜轮廓

权利要求书

1.一种光电器件，包括具有表面层以及在所述表面层上限定阱的堤部结构的基板，堤部结构包括电绝缘材料并且具有包围所述表面层的区域的侧壁而由此限定阱，该表面层区域包括第一电极，并且该器件还包括第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的半导电材料，该器件具有光腔，包括：

完全光反射层；

部分光反射层；及

包括至少一层的层结构，所述层结构中的至少一层是可溶液加工层，该层结构包括所述半导电材料并且位于完全光反射层和部分光反射层之间，其中所述表面层区域包括其中一个反射层，并且所述可溶液加工层位于所述表面层区域上及所述侧壁的第一斜坡和第二斜坡上，

其中完全光反射层和部分光反射层被布置成为在层结构中生成的光提供谐振腔，

其中：

所述侧壁具有从所述表面层区域延伸的第一斜坡和从所述第一斜坡延伸的第二斜坡，其中所述第一斜坡没有所述第二斜坡陡，并且所述层结构中的至少一层的厚度柱状图的半高全宽小于5nm，所述厚度是位于至少所述表面层区域的基本上规律隔开的各个点之上的厚度，所述点包括位于所述表面层区域和所述侧壁之间的边界处的第一个点和在表面层区域上并且与所述边界隔开至少10μm的第二个点。

2.如权利要求1所述的光电器件，其中所述厚度包括可溶液加工层的厚度。

3.如权利要求1或2所述的光电器件，配置为当接通时发射在CIE颜色空间中具有小于或等于0.02的最大色差的光。

4.如权利要求1或2所述的光电器件，配置为当接通时发射在CIE颜色空间中具有小于或等于0.01的最大色差的光。

5.如权利要求1或2所述的光电器件，其中：

完全光反射层和部分光反射层中的至少一个包括所述第一电极和第二电极之一；和/或

所述光腔包括微腔；和/或

所述第一斜坡具有相对于器件表面层的小于或等于20度的斜坡角。

6.如权利要求5所述的光电器件，其中所述第一电极包括部分光反射层。

7.如权利要求5所述的光电器件，其中所述第一斜坡具有相对于器件表面层的小于10度的斜坡角。

8.如权利要求1或2所述的光电器件，其中：

在与第二斜坡的边界处，第一斜坡向上延伸到小于300nm的堤部结构厚度；和/或

第二斜坡在表面层之上延伸到至少300nm的第二堤部结构厚度；和/或

第一斜坡沿表面层在至少1μm的长度上延伸。

9.如权利要求8所述的光电器件，其中，在与第二斜坡的边界处，第一斜坡向上延伸到小于200nm的堤部结构厚度。

10.如权利要求8所述的光电器件，其中第一斜坡和第二斜坡中的至少一个沿100nm至150nm的堤部结构厚度延伸。

11.如权利要求8所述的光电器件，其中第二斜坡在表面层之上延伸到至少1μm的第二堤部结构厚度。

12.如权利要求8所述的光电器件，其中第二斜坡沿表面层在至少8μm的长度上延伸。

13.如权利要求8所述的光电器件，其中侧壁沿表面层在至少10μm的长度上延伸。

14.如权利要求1或2所述的光电器件，其中：

第一斜坡延伸到第一堤部结构厚度H1并且第二斜坡延伸到第二堤部结构厚度H2，第二堤部结构厚度包括第一堤部结构厚度，其中H1小于或等于0.3×H2；和/或

至少一个所述可溶液加工层在第二斜坡上的、与第一斜坡隔开的点处具有钉扎点；和/或侧壁延伸到堤部结构厚度H，并且所述表面层区域和所述表面层上最接近钉扎点的点之间的最短距离是至少10×H。