[发明专利]一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法在审
| 申请号： | 201410402131.2 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104201123A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 胡丰田;李明;胡安民;吴蕴雯 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法，包括以下步骤：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一个待键合偶；在待键合偶的一侧焊盘上形成纤维状纳米银金属层；在待键合偶的另一侧焊盘上形成微米级针锥阵列结构的金属层；将待键合偶表面焊盘对准，把接触区域加热到不超过金属熔点的某一温度同时向待键合偶一侧或双侧施加键合压力并保持一定时间，使得纤维状纳米银金属层与微米级针锥阵列结构的金属层固态键合。本发明的利用表面微纳米结构的低温固态键合方法的传导率、电导率更高，并且可以大大减低热压键合的温度，提高键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 表面 纳米 结构 低温 固态 方法 | ||
【主权项】：
一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一个待键合偶；S2：在待键合偶的一侧焊盘上形成纤维状纳米银金属层；S3：在待键合偶的另一侧焊盘上形成微米级针锥阵列结构的金属层；S4：将待键合偶表面焊盘对准，使得所述待键合偶的一侧表面带有纤维状纳米银金属层的区域与另一侧表面带有微米级针锥阵列结构的金属层区域匹配；把接触区域加热到不超过金属熔点的键合温度同时向待键合偶一侧或双侧施加键合压力并保持一定时间，使得纤维状纳米银金属层与微米级针锥阵列结构的金属层固态键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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