[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包括：在基底上设置有源层；在所述有源层表面设置源电极和漏电极；在所述有源层表面及源电极和漏电极上修饰界面修饰材料，形成界面修饰层；在所述界面修饰层上设置绝缘层；以及，在所述绝缘层上设置栅电极。本发明通过对薄膜晶体管中的有源层进行界面修饰，能够极大的降低晶体管的关态电流，并提高开关比，同时通过采用顶栅底接触式的结构，还使得晶体管的稳定性得到很大的提高。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，所述源电极和漏电极设置在所述有源层之上，并与有源层电性连接，所述绝缘层覆设于所述有源层以及所述源电极和漏电极之上，所述栅电极设置在所述绝缘层之上，其特征在于：所述绝缘层与所述有源层之间还设有界面修饰层；其中，用于组成所述绝缘层的材料为聚甲基倍半硅氧烷；用于组成所述界面修饰层的材料包含如下结构单元中的任一种：当组成所述界面修饰层的材料中含有硅氧键时，相邻硅原子之间存在单氧桥；其中，R独立地选自如下原子或基团中的任一种：氢；间隔有至少一个杂原子的线性或支化、取代或未取代的C1‑C20烷基；间隔有至少一个杂原子且至少部分卤化的线性或支化的、取代或未取代的C1‑C20烷基；经由线性或支化C1‑C20烷基链连接的取代或未取代的C3‑C20环烷基；间隔有至少一个杂原子的线性或支化的、取代或未取代的、至少单不饱和的C2‑C20链烯基；间隔有至少一个杂原子的线性或支化、取代或未取代、至少单不饱和的C2‑C20炔基；经由线性或支化的C1‑C20烷基链连接的取代或未取代的C5‑C30芳基。