[发明专利]样品制备方法以及二次离子质谱分析方法有效
| 申请号： | 201410395360.6 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105334085B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 史江北 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种样品制备方法，包括提供一半导体芯片，包括若干规则排列的待测结构；对所述半导体芯片的正面进行剥离，并判断所述待测结构的位置分布；对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理，并判断所述待测结构的深度以及所述待测结构在所述横截面的宽度；根据所述待测结构的位置分布、深度以及宽度，在所述半导体芯片的正面制备至少一开孔，所述开孔位于其中一个所述待测结构的至少两个侧面，所述开孔的深度大于等于所述待测结构的深度；对所述半导体芯片的背面进行研磨，直至露出所述开孔，得到分析样品。本发明还提供一种使用所述分析样品的二次离子质谱分析方法，所述分析样品的表面平整，分析区域大，有利于提高测试分析的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 样品 制备 方法 以及 二次 离子 谱分析 | ||
【主权项】：
一种样品制备方法，包括：提供一形成有若干规则排列的待测结构的半导体芯片，所述半导体芯片包括正面、与所述正面相对的背面以及垂直于所述正面和背面的横截面；对所述半导体芯片的正面进行剥离，剥离至所述待测结构所在膜层的上一层膜层，根据所述待测结构所在膜层的上一层膜层的结构，判断所述待测结构的位置分布；对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理，根据所述腐蚀处理的结果，判断所述待测结构的深度以及所述待测结构在所述横截面的宽度；根据所述待测结构的位置分布、深度以及宽度，从所述半导体芯片的正面制备至少一开孔，所述开孔位于其中一个所述待测结构的至少两个侧面，所述开孔的深度大于等于所述待测结构的深度；对所述半导体芯片的背面进行研磨，直至露出所述开孔，得到分析样品。
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