[发明专利]样品制备方法以及二次离子质谱分析方法

权利要求书

1.一种样品制备方法，包括：

提供一形成有若干规则排列的待测结构的半导体芯片，所述半导体芯片包括正面、与所述正面相对的背面以及垂直于所述正面和背面的横截面；

对所述半导体芯片的正面进行剥离，剥离至所述待测结构所在膜层的上一层膜层，根据所述待测结构所在膜层的上一层膜层的结构，判断所述待测结构的位置分布；

对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理，根据所述腐蚀处理的结果，判断所述待测结构的深度以及所述待测结构在所述横截面的宽度；

根据所述待测结构的位置分布、深度以及宽度，从所述半导体芯片的正面制备至少一开孔，所述开孔位于其中一个所述待测结构的至少两个侧面，所述开孔的深度大于等于所述待测结构的深度；

对所述半导体芯片的背面进行研磨，直至露出所述开孔，得到分析样品。

2.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，在所述半导体芯片的正面制备至少一开孔的步骤和对所述半导体芯片的背面进行研磨的步骤之间，还包括：

在所述开孔内填充导电材料。

3.如权利要求2所述的样品制备方法，其特征在于，所述导电材料为铂。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的样品制备方法，其特征在于，在对所述半导体芯片的正面进行剥离的步骤和对所述半导体芯片的横截面进行腐蚀处理的步骤之间，还包括：

采用聚焦离子束对所述半导体芯片的横截面进行预处理。

5.如权利要求1-3中任意一项所述的样品制备方法，其特征在于，从所述半导体芯片的正面制备至少一开孔的步骤和对所述半导体芯片的背面进行研磨的步骤之间，还包括：

在所述半导体芯片的正面粘贴一基板。

6.如权利要求5所述的样品制备方法，其特征在于，所述基板为导电基板，所述半导体芯片和所述导电基板通过导电胶粘贴。

7.如权利要求1-3中任意一项所述的样品制备方法，其特征在于，对所述半导体芯片的背面进行研磨的步骤包括：

对所述半导体芯片的背面进行粗磨，直至所述半导体芯片的背面表面距所述开孔50nm～1000nm；

对所述半导体芯片的背面进行细磨，露出所述开孔。

8.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，所述半导体芯片包括若干层叠的膜层，所述待测结构在其中一个所述膜层内排列。

9.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理的处理液包括氢氟酸、硝酸和乙酸中的一种或几种的组合，所述腐蚀处理的处理时间为10s～30s。

10.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，从所述半导体芯片的正面制备一个所述开孔，所述开孔为环形，并包围所述一个待测结构。

11.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，从所述半导体芯片的正面制备四个所述开孔，所述开孔为条形，四个所述开孔围绕在所述一个待测结构的四周。

12.如权利要求1所述的样品制备方法，其特征在于，采用聚焦离子束在所述半导体芯片的正面制备至少一所述开孔。

13.一种二次离子质谱分析方法，包括：

提供采用如权利要求1-12中任意一种所述样品制备方法制备的所述分析样品；

根据所述开孔确定所述一个待测结构的位置；

从所述分析样品被研磨过的一面，对所述一个待测结构进行二次离子质谱分析。