[发明专利]一种超级结器件制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件的制作方法，在硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；在所述外延层中形成沟槽；在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；在所述外延层上部形成栅氧化膜和栅极区；在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；在所述栅极区和外延层上端面形成栅‑金属间介质膜；在所述栅‑金属间介质膜中形成接触孔；在所述栅‑金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；进行硅片背面减薄，将所述硅基片全部去除或只留下很薄的部分；在所述硅片背面进行第一种类型半导体杂质的注入；在所述硅片背面进行半导体杂质的激活；在所述硅片背面形成背面金属层。

主权项

1.一种超级结半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅基片上成长第一种类型半导体的外延层，所述硅基片的电阻率在所述第一种类型半导体的外延层的电阻率的1/10到100倍之间；步骤2、在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；步骤3、在所述外延层中形成多个沟槽；步骤4、在各所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅，由填充于所述沟槽中的第二种类型半导体的硅和所述沟槽之间的第一种类型半导体的外延层组成交替排列的P型和N型半导体薄层；步骤5、在所述外延层上部形成栅氧化膜和栅极区；步骤6、在所述阱中形成第一种类型半导体的源区；步骤7、在所述栅极区和外延层上端面形成栅‑金属间介质膜；步骤8、在所述栅‑金属间介质膜中形成接触孔；步骤9、在所述栅‑金属间介质膜上端面和接触孔中形成表面金属膜，并形成源极和栅极；步骤10、进行硅基片背面减薄，将所述硅基片全部去除，或减薄后硅基片的保留厚度不大于5微米；步骤11、进行第一种类型半导体杂质的背面注入并由背面注入的第一种类型半导体杂质形成漏区；在所述硅基片保留有厚度时，所述漏区要覆盖所有所留下的所述硅基片的厚度范围；由背面注入形成的所述漏区，使得所述漏区和所述P型和N型半导体薄层之间的第一种类型半导体区的厚度能通过所述漏区的背面注入调节，从而能改善器件的耐电流冲击能力和耐电压冲击能力；步骤12、进行第一种类型半导体杂质的激活；步骤13、形成背面金属层。