[发明专利]一种利用激光刻蚀制备透明金属引线结构的方法有效
申请号: | 201410384560.1 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN105374696B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 林晓辉;徐厚嘉;平财明;刘春雷;方健聪;刘升升 | 申请(专利权)人: | 上海蓝沛信泰光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201806 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种利用激光刻蚀制备透明金属引线结构的方法,包括:1)对透明基材进行表面处理,以增加表面能,提高粘附力;2)提供导电银浆料,于所述透明基材表面整版进行导电银层涂布;3)采用激光刻蚀机按照预设的图形对整版的导电银层进行切分,形成由切分线分割的具有预设功能的导电银纳米线路结构。本发明通过合理的图形设计,可以使得仅仅采用20微米的间距就可以分割两条银线,同时设计冗余线,对外观一致性和功能可靠性都加以了改善。采用多个激光头同时工作,可以大大提高工作效率。从应用角度来看,透明导电薄膜具有很广的应用领域,尤其是大屏幕触控和透明薄膜开关。采用本发明的工艺生产的薄膜,成本低,耐弯折,可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 激光 刻蚀 制备 透明 金属 引线 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用激光刻蚀制备透明金属引线结构的方法,其特征在于,包括步骤:1)提供一透明基材,对透明基材进行表面处理,以增加透明基材的表面能,提高粘附力;2)提供导电银浆料,于所述透明基材表面整版进行导电银层涂布;3)采用激光刻蚀机按照预设的图形对整版的导电银层进行切分,形成由切分线分割的具有预设功能的导电银纳米线路结构;其中,步骤3)的所述切分线包括第一切分线、第二切分线及冗余切分线,所述第一切分线与第二切分线呈曲折状依次相交,所述冗余切分线依次经过所述第一切分线及第二切分线的各个交点,以保证导电银纳米线路结构的可靠分割,避免短路现象。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造