[发明专利]具有动态偏置的RF缓冲器电路有效
| 申请号： | 201410381644.X | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104168008B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | R·兰加拉詹;C·米什拉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K19/0185;H03K19/20;H03K19/003 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中，在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间，对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压，并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 动态 偏置 rf 缓冲器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于RF缓冲器电路的方法，包括：在输出输出信号的所述RF缓冲器电路的高摆幅模式状况和低摆幅模式状况之间检测，所述RF缓冲器电路包括串联耦合的第一晶体管和第二晶体管以及用于动态地偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极和源极处的电压的动态偏置电路，其中在所述高摆幅模式状况期间所述输出信号基本上与所述RF缓冲器电路所接收的输入信号同相，并且其中在所述低摆幅模式状况期间所述输出信号基本上与所述输入信号异相。
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