[发明专利]P型LED外延结构、生长方法

摘要

本申请公开了P型LED外延结构、生长方法，P型LED外延结构，所述结构自下而上包含蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、高掺杂P型氮化镓层以及接触层，高掺杂P型氮化镓接触层进一步包含第一高掺杂P型氮化镓层和第二高掺杂P型氮化镓层，且所述第一高掺杂P型氮化镓层和所述第二高掺杂P型氮化镓层分别采用不同的载气来生长。本发明可获得不同结晶质量的P‑GaN，其增强了电子限制能力，增强空穴注入，减缓电子注入，同时抑制极化效应，扩展电流，缓解静电对GaN基LED的冲击，从而提高了外延片的抗静电能力。

主权项

一种P型LED外延结构，所述结构自下而上包含蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、高掺杂P型氮化镓层以及接触层，其特征在于：所述高掺杂P型氮化镓层，进一步包含：第一高掺杂P型氮化镓层和第二高掺杂P型氮化镓层，且所述第一高掺杂P型氮化镓层和所述第二高掺杂P型氮化镓层分别采用不同的载气来生长；所述第一高掺杂P型氮化镓层采用氮气作为载气来生长，而所述第二高掺杂P型氮化镓层采用氮气与氢气的混合气体作为载气来生长。