[发明专利]P型LED外延结构、生长方法

权利要求书

1.一种P型LED外延结构，所述结构自下而上包含蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、高掺杂P型氮化镓层以及接触层，其特征在于：

所述高掺杂P型氮化镓接触层进一步包含第一P型氮化镓层和第二P型氮化镓层，且所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层分别采用不同的载气来生长。

2.如权利要求1所述的P型LED外延结构，其特征在于，所述第一P型氮化镓层采用氮气作为载气来生长，而所述第二P型氮化镓层采用氮气与氢气的混合气体作为载气来生长。

3.如权利要求2所述的P型LED外延结构，其特征在于，所述第一P型氮化镓层是在820-920℃的温度条件下生长的，而所述第二P型氮化镓层是在850-950℃温度条件下生长的。

4.如权利要求1所述的P型LED外延结构，其特征在于，所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的。

5.如权利要求1所述的P型LED外延结构，其特征在于，所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层是在不同温度条件及/或不同的压力条件下生长的。

6.一种LED显示装置，其特征在于，所述LED显示装置包含应用了权利要求1-5中任一项所述的P型LED外延结构的外延片。

7.一种P型LED外延结构生长方法，依次包含处理蓝宝石衬底、生长低温氮化镓缓冲层、生长非掺杂氮化镓层、生长n型氮化镓层、生长第一势垒层、生长浅量子阱层、生长多量子阱层、生长电子阻挡层、生长高掺杂P型氮化镓层以及生长接触层，其特征在于：所述生长高掺杂P型氮化镓层的步骤进一步包含：

生长第一P型氮化镓层；以及

生长第二P型氮化镓层，

其中所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层分别采用不同的载气来生长。

8.如权利要求7所述的P型LED外延结构生长方法，其特征在于，所述第一P型氮化镓层采用氮气作为载气来生长，而所述第二P型氮化镓层采用氮气与氢气的混合气体作为载气来生长。

9.如权利要求8所述的P型LED外延结构生长方法，其特征在于，所述第一P型氮化镓层是在820-920℃的温度条件下生长的，而所述第二P型氮化镓层是在850-950℃温度条件下生长的。

10.如权利要求7所述的P型LED外延结构生长方法，其特征在于，所述第一P型氮化镓层和所述第二P型氮化镓层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的。