[发明专利]去除铝残留物的方法有效

申请号：	201410377280.8	申请日：	2014-08-01
公开（公告）号：	CN105336573B	公开（公告）日：	2019-01-29
发明（设计）人：	赖海长;傅俊;梁田	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/768
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	徐洁晶
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供一种去除铝残留物的方法，铝残留物和铝互连线位于金属间介质层上，铝互连线和铝残留物均通过粘合层与金属间介质层相接触；该方法包括步骤：A.在铝互连线上形成与铝互连线同样图形的阻挡层，阻挡层为光刻胶；B.对阻挡层进行加热，使铝互连线上的光刻胶发生回流，在铝互连线的侧壁处形成侧墙；C.在阻挡层和侧墙对铝互连线的保护下，刻蚀掉铝残留物；D.去除掉铝残留物下方的粘合层，并去除阻挡层和侧墙。本发明能够在后段铝互连的铝刻蚀工艺之后完全清除铝残留物，避免由此导致的缺陷或者芯片失效，同时不会对铝互连线以及焊垫造成损伤。
搜索关键词：	去除残留物方法
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【主权项】：

1.一种去除铝残留物(202)的方法，所述铝残留物(202)和铝互连线(203)位于金属间介质层(201)上，所述铝互连线(203)和所述铝残留物(202)均通过粘合层(204)与所述金属间介质层(201)相接触；所述方法包括步骤：A.在所述铝互连线(203)上形成与所述铝互连线(203)同样图形的阻挡层(205)，所述阻挡层(205)为光刻胶；B.对所述阻挡层(205)进行加热，使所述铝互连线(203)上的所述光刻胶发生回流，在所述铝互连线(203)的侧壁处形成侧墙(206)；C.在所述阻挡层(205)和所述侧墙(206)对所述铝互连线(203)的保护下，刻蚀掉所述铝残留物(202)；D.去除掉所述铝残留物(202)下方的所述粘合层(204)，并去除所述阻挡层(205)和所述侧墙(206)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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