[发明专利]存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法在审
| 申请号： | 201410370621.9 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336376A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 黄正太;杨家奇;黄正乙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法，所述存储阵列包括：呈M行N列排布的存储单元，M≥1，N＞1，N为偶数，所述存储单元包括：第一MOS管和熔丝；在同一个存储单元中，第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端，第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端，另一个为所述存储单元的第二端；位于同一列的存储单元的第一端连接在一起，位于同一列的存储单元的第二端连接在一起；位于第n列的存储单元的第二端连接位于第n-1列的存储单元的第二端，N≥n＞1，n为偶数。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 存储器 编程 冗余 读取 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储阵列，其特征在于，包括：呈M行N列排布的存储单元，M≥1，N＞1，N为偶数，所述存储单元包括：第一MOS管和熔丝；在同一个存储单元中，第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端，第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端，另一个为所述存储单元的第二端；位于同一列的存储单元的第一端连接在一起，位于同一列的存储单元的第二端连接在一起；位于第n列的存储单元的第二端连接位于第n‑1列的存储单元的第二端，N≥n＞1，n为偶数。
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