[发明专利]一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器有效
申请号: | 201410369768.6 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104154828A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 赵玉龙;李秀源;胡腾江;徐文举;白颖伟;任炜 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | F42C15/00 | 分类号: | F42C15/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器,包括单晶硅衬底,单晶硅衬底上制作有加速膛孔,二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长,将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合,金属电极层沉积在单晶硅结构层的锚点上,MEMS执行器在单晶硅结构层中制作,利用刻蚀技术制作可动结构层,利用热电效应来产生相应的输出,利用MEMS相关工艺制作的器件体积小,具有低成本、高智能、易集成的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 放大 引信 安保 装置 mems 执行 | ||
【主权项】:
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器,其特征在于:包括单晶硅衬底(1),单晶硅衬底(1)上制作有直径为150~180um的加速膛孔(5),加速膛孔(5)是飞片材料的通道,二氧化硅绝缘层(2)在单晶硅衬底(1)上生长,生长厚度为2~3um,将单晶硅结构层(3)与生长了二氧化硅绝缘层(2)的单晶硅衬底(1)键合,单晶硅结构层(3)的厚度为50~100um,金属电极层(4)沉积在单晶硅结构层(3)的锚点(3‑2)上;还包括锚点(3‑2),成阵列结构的V型梁热电驱动单元(3‑1)的两端与锚点(3‑2)连接,中间臂(3‑3)位于V型梁热电驱动单元(3‑1)的中间并与之相互固定,连接臂(3‑4)的两端分别与上下两侧放大梁(3‑5)的首端相连接,连接臂(3‑4)的中间部分与中间臂(3‑3)的首端连接,隔板(3‑6)分别与左右两侧放大梁(3‑5)的末端相连接,隔板(3‑6)将加速膛孔(5)挡住;除去与锚点(3‑2)键合的部分,其余的二氧化硅绝缘层(2)将被腐蚀掉,使热电驱动单元(3‑1)、中间臂(3‑3)、连接臂(3‑4)、放大梁(3‑5)以及隔板(3‑6)悬空,形成最终的可动结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410369768.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种简易式主板元器件高度检测器
- 下一篇:集流管和换热器