[发明专利]一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器

权利要求书

1.一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，其特征在于：

包括单晶硅衬底(1)，单晶硅衬底(1)上制作有直径为150～180um的加速膛孔(5)，加速膛孔(5)是飞片材料的通道，二氧化硅绝缘层(2)在单晶硅衬底(1)上生长，生长厚度为2～3um，将单晶硅结构层(3)与生长了二氧化硅绝缘层(2)的单晶硅衬底(1)键合，单晶硅结构层(3)的厚度为50～100um，金属电极层(4)沉积在单晶硅结构层(3)的锚点(3-2)上；

还包括锚点(3-2)，成阵列结构的V型梁热电驱动单元(3-1)的两端与锚点(3-2)连接，中间臂(3-3)位于V型梁热电驱动单元(3-1)的中间并与之相互固定，连接臂(3-4)的两端分别与上下两侧放大梁(3-5)的首端相连接，连接臂(3-4)的中间部分与中间臂(3-3)的首端连接，隔板(3-6)分别与左右两侧放大梁(3-5)的末端相连接，隔板(3-6)将加速膛孔(5)挡住；

除去与锚点(3-2)键合的部分，其余的二氧化硅绝缘层(2)将被腐蚀掉，使热电驱动单元(3-1)、中间臂(3-3)、连接臂(3-4)、放大梁(3-5)以及隔板(3-6)悬空，形成最终的可动结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，其特征在于：所述的V型梁热电驱动单元(3-1)的总长度为1000～2000um，宽为30～40um，中间夹角为160～170°，每组V型梁热电驱动单元(3-1)之间的间距为80～100um。

3.根据权利要求1所述的一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，其特征在于：所述的放大梁(3-5)的长度为1500～2000um，宽度为10～15um,倾角为2～5°。

4.根据权利要求1所述的一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，其特征在于：所述的隔板(3-6)为边长200～250um的正方形结构。