[发明专利]具有场效应晶体管的半导体器件有效
| 申请号： | 201410369696.5 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347690B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 金钟银;金东铉;宋炫升 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍部件，所述鳍部件从衬底上突出并且包括具有两个侧壁的基部、位于所述基部上并具有两个侧壁的中间部和位于所述中间部上并具有两个侧壁的沟道部，所述中间部的宽度小于所述基部的宽度而大于所述沟道部的宽度；器件绝缘图案，所述器件绝缘图案设置在所述衬底上的所述鳍部件周围并且覆盖所述基部的两个侧壁和所述中间部的两个侧壁；栅电极，所述栅电极跨越所述鳍部件并且覆盖所述沟道部的两个侧壁和上表面；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述沟道部与所述栅电极之间，其中，所述鳍部件的至少第一侧壁在所述基部与所述中间部之间的界面处的斜率不同于在所述基部与所述沟道部之间的所述中间部的一部分的斜率,其中，所述基部、所述中间部和所述沟道部的宽度阶梯式减小。
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