[发明专利]太鼓减薄工艺的去环方法有效

专利信息
申请号: 201410363960.4 申请日: 2014-07-29
公开(公告)号: CN104517804B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 郁新举;刘玮荪;黄锦才 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/302
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种太鼓减薄工艺的去环方法,包括步骤使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄;在晶圆的背面完成背面工艺;将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上;在距离晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米~10毫米处切割形成缓冲沟槽;采用环切工艺将支撑环切除或者磨平。本发明能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。
搜索关键词: 太鼓减薄 工艺 方法
【主权项】:
一种太鼓减薄工艺的去环方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄,所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度,所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环;步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺;步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上;步骤四、在距离所述晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米~10毫米处切割形成缓冲沟槽,所述缓冲沟槽的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件;步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环切除或者磨平。
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