[发明专利]太鼓减薄工艺的去环方法有效
申请号: | 201410363960.4 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN104517804B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 郁新举;刘玮荪;黄锦才 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/302 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太鼓减薄工艺的去环方法,包括步骤使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄;在晶圆的背面完成背面工艺;将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上;在距离晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米~10毫米处切割形成缓冲沟槽;采用环切工艺将支撑环切除或者磨平。本发明能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。 | ||
搜索关键词: | 太鼓减薄 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种太鼓减薄工艺的去环方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄,所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度,所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环;步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺;步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上;步骤四、在距离所述晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米~10毫米处切割形成缓冲沟槽,所述缓冲沟槽的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件;步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环切除或者磨平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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