[发明专利]太鼓减薄工艺的去环方法有效
| 申请号： | 201410363960.4 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517804B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郁新举;刘玮荪;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太鼓减薄 工艺 方法 | ||
1.一种太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环；
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺；
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；
步骤四、在距离所述晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽，所述缓冲沟槽的宽度和深度满足能够防止后续环切工艺中产生边缘崩齿时使整个所述晶圆破碎的条件；
步骤五、采用环切工艺将所述晶圆的所述支撑环切除或者磨平。
2.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤一中对所述晶圆的中间部分进行背面减薄后的厚度为25微米～200微米。
3.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤一中对所述支撑环的宽度为2毫米～5毫米。
4.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽采用机械切割或者激光切割的方法形成。
5.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的宽度为10微米～200微米。
6.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的深度大于等于所述晶圆的中间部分减薄后的厚度。
7.如权利要求1或6所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤四中所述缓冲沟槽的深度为30微米～200微米。
8.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：所述切割胶带的厚度为30微米～200微米。
9.如权利要求1或8所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
10.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的去环方法，其特征在于：步骤五中的所述环切工艺采用机械切割或者激光切割的方法实现对所述支撑环的切除，或者步骤五中的所述环切工艺采用研磨的方式将所述支撑环磨平。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
