[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方法有效
申请号: | 201410363842.3 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104347384A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 吉野道朗;高桥正行;松野行壮;久保隆志 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/02;B08B3/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆德骏;谢丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种晶片清洗装置及晶片清洗方法,提高预备的清洗性。清洗装置具有:存积清洗液的水槽;对切片底座以多个晶片处于下方且浸渍于水槽的清洗液的方式进行保持的保持部;向多个相邻的晶片的间隙喷出清洗液的多个喷嘴;对多个晶片实施超声波清洗处理的超声波装置。特别是具有如下特征:多个喷嘴沿水平方向且等间隔地至少配置一列,从超声波装置产生的超声波的方向以与从多个喷嘴喷出的喷流的方向平行的方式设置。 | ||
搜索关键词: | 晶片 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片清洗装置,对用粘接剂粘接于切片底座的多个晶片进行清洗,具备:存积清洗液的水槽;以将所述切片底座及所述多个晶片浸渍于所述水槽的所述清洗液,且所述多个晶片处于下方的方式保持所述切片底座的保持部;向所述多个晶片中的相邻的晶片的间隙喷出所述清洗液的多个喷嘴;及对所述多个晶片实施超声波清洗处理的超声波装置,所述多个喷嘴水平且等间隔地至少配置一列,所述超声波装置以超声波的方向与从所述多个喷嘴喷出的喷流的方向平行的方式设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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