[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及对用粘接剂粘接于切片底座的晶片进行清洗的晶片清洗装置及晶片清洗方法。

背景技术

对现有的硅片等晶片的制造工序进行说明。

首先如图1(A)所示，经由粘接剂3将称为结晶块1的块状物固定于称为切片底座2的保持体。接着，如图1(B)所示，将固定于该切片底座2的结晶块1用钢丝锯4等进行切割从而形成为晶片状态。用钢丝锯4进行切割时，在晶片上附着切削油、淤渣(切屑)，因此，如图2所示，在固定于切片底座2的状态下，对晶片5预备地进行清洗。

此时，在现有的构成中，如图2(A)所示，首先在用清洗液6充满的水槽7中用喷嘴8对晶片5进行淋浴清洗(此时水槽7不一定被清洗液6充满也可以)。接着，如图2(B)所示，在用清洗液6充满的水槽7中通过超声波装置9对晶片5进行超声波清洗。

接着，如图3(A)及图3(B)所示，将固定于切片底座2的晶片5浸渍于用药液或热水10充满的水槽11中，使将晶片5固定于切片底座2的粘接剂3软化或溶解，使晶片5从切片底座2分离。

接着，如图4(A)及图4(B)所示，将从切片底座分离后的晶片5在料盘上沿横方向或纵方向层叠后，使用未图示的单片处理装置(枚葉装置)而逐片使用搬送臂搬送，收纳于清洗用的盒。

进而，收纳于清洗用盒的晶片经过最终清洗、干燥、晶片检查而成为成品晶片。

另外，如图5所示，作为预备地对固定于切片底座2的晶片5进行清洗的其他方法，报告了如下方法：使用在水槽7具有喷嘴8及超声波装置9的装置，喷嘴8配置成与水槽7的长轴平行且各个的流向成为相反方向，用超声波对松动的粒子进行冲洗(参照专利文献1)。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利第4763061号公报

发明内容

但是，上述现有的构成中，具有如下问题：仅利用淋浴清洗的话无法除去固着于晶片表面的淤渣，而仅利用超声波清洗的话，相邻的晶片的间隙存在偏差，而无法除去未产生充足的间隙的晶片表面的淤渣。

另外，专利文献1记载的构成中，具有如下问题：在水槽7内，由于从喷嘴8喷射的清洗液6的喷流而产生波，该波使超声波的波衰减，无法得到充分的超声波清洗的效果，从而无法除去晶片5表面的淤渣。

上述现有的构成及专利文献1记载的构成中，都有如下问题：如图6所示，特别是将切片底座2和晶片5固定的一侧的晶片5表面(以下称为晶片顶部)的清洗性低，在晶片顶部固着有淤渣13而流向后工序。

通常，由一根结晶块1能得到1000片以上的晶片5，因此如果在晶片顶部固着有厚度方向20μm的淤渣13，则会产生20μm×1000片×2(正反面)＝40mm的厚度差。因此，如图7(A)及图7(B)所示，在料盘12上将晶片5沿横方向或纵方向层叠时，由于晶片顶部的淤渣13，晶片5的排列性变差，不能用单片处理装置搬送，或者如图7(C)所示，在层叠的晶片5的下部产生偏载荷，而还具有晶片5会破裂等品质问题(参照标号X)。而且，在最终清洗工序中，为了除去淤渣13而需要很多的时间等，成为生产率低下的原因，或者不能完全除去淤渣13，而也成为晶片的成品率低下的原因。

本申请为了解决上述现有的问题，目的在于提供能够提高晶片的品质、后工序的生产率及成品率的晶片清洗装置及晶片清洗方法。

本发明涉及实施固定于以下所示的切片底座的晶片的预备清洗的晶片清洗装置及晶片清洗方法。

本发明的晶片清洗装置是对用粘接剂粘接于切片底座的多个晶片进行清洗的清洗装置，为以下的构成。

〔1〕存积清洗液的水槽。

〔2〕对切片底座以多个晶片处于下方且浸渍于水槽的所述清洗液的方式进行保持的保持部。

〔3〕向多个相邻的晶片的间隙喷出清洗液的多个喷嘴。

〔4〕对多个晶片实施超声波清洗处理的超声波装置。

在这种构成中，多个喷嘴沿水平方向且等间隔地至少配置一列，从超声波装置产生的超声波的方向以与从多个喷嘴喷出的喷流的方向平行的方式设置。

另外，本发明的晶片清洗方法是将用粘接剂粘接于切片底座的多个晶片在浸渍于存积清洗液的水槽的状态下使用超声波进行清洗的清洗方法，包括以下的工序。

〔1〕在相比多个晶片的中央靠上侧，且朝向所述多个相邻的晶片的间隙，将所述清洗液从多个喷嘴沿水平方向喷出。

〔2〕将所述多个相邻的晶片的间隙扩大，并且使用与从所述多个喷嘴喷出的喷流平行的方向的所述超声波，对所述多个晶片的表面进行清洗。