[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方法

权利要求书

1.一种晶片清洗装置，对用粘接剂粘接于切片底座的多个晶片进行清洗，具备：

存积清洗液的水槽；

以将所述切片底座及所述多个晶片浸渍于所述水槽的所述清洗液，且所述多个晶片处于下方的方式保持所述切片底座的保持部；

向所述多个晶片中的相邻的晶片的间隙喷出所述清洗液的多个喷嘴；及

对所述多个晶片实施超声波清洗处理的超声波装置，

所述多个喷嘴水平且等间隔地至少配置一列，

所述超声波装置以超声波的方向与从所述多个喷嘴喷出的喷流的方向平行的方式设置。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其中，

从所述超声波装置产生的超声波的方向与从所述多个喷嘴喷出的喷流的方向为相反方向，

所述多个晶片配置在所述多个喷嘴与所述超声波装置之间。

3.根据权利要求1或2所述的晶片清洗装置，其中，

所述多个喷嘴具有在水平方向摆动的机构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片清洗装置，其中，

所述多个喷嘴具有在纵方向摆动的机构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶片清洗装置，其中，

在与所述多个喷嘴相对的位置还具备吸引从所述多个喷嘴喷出的喷流的吸水机构，

所述多个晶片位于所述多个喷嘴与所述吸水机构之间。

6.根据权利要求5所述的晶片清洗装置，其中，

所述吸水机构与所述多个喷嘴连动而在水平方向或纵方向摆动。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶片清洗装置，其中，

所述保持部具有相对于从所述多个喷嘴喷出的喷流的行进方向向下降的方向倾斜的机构。

8.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其中，

从所述超声波装置产生的超声波的方向与从所述多个喷嘴喷出的喷流的方向为相同方向，

所述多个喷嘴位于所述超声波装置与所述多个晶片之间。

9.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其中，

所述水槽至少具有2个槽，所述多个喷嘴的高度方向的设置位置能够任意选择相比所述多个晶片的中央靠上侧处、或相比所述多个晶片的中央靠下侧处，

且所述多个喷嘴的高度方向的设置位置必定具有相比所述多个晶片的中央靠上侧处和相比所述多个晶片的中央靠下侧处这两方。

10.一种晶片清洗方法，对用粘接剂粘接于切片底座的多个晶片在浸渍于存积清洗液的水槽的状态下使用超声波进行清洗，其中，包括如下工序：

在相比所述多个晶片的中央靠上侧，且朝向所述多个相邻的晶片的间隙，将所述清洗液从多个喷嘴沿水平方向喷出，从而扩大所述多个相邻的晶片的间隙，并且，

对所述多个晶片的表面使用与从所述多个喷嘴喷出的喷流平行的方向的所述超声波进行清洗；及

在相比所述多个晶片的中央靠下侧，且朝向所述多个相邻的晶片的间隙，将所述清洗液从多个喷嘴沿水平方向喷出，从而扩大所述多个相邻的晶片的间隙，并且，

对所述多个晶片的表面使用与从所述多个喷嘴喷出的喷流平行的方向的所述超声波进行清洗。