[发明专利]磁记录介质及磁存储装置有效
| 申请号： | 201410363017.3 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104347087B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 丁香兰,庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的FePt合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其由选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且选自W、Mo的一种以上的元素构成，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层，且所述第二衬底层在所述第一衬底层上外延生长，所述第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。
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