[发明专利]磁记录介质及磁存储装置有效

专利信息
申请号: 201410363017.3 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN104347087B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/73
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 丁香兰,庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 存储 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质及磁存储装置。

背景技术

近些年,对于硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益增强。作为满足该需要的手段,提出了一种热辅助记录方式,其利用搭载有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并进行记录。在热辅助记录方式中,由于可通过对磁记录介质进行加热而大幅降低矫顽力,因此对于记录介质的磁性层可以使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此,能够仍维持热稳定性的同时使磁性粒径的细小化成为可能,并实现1Tbit/inch2级的面密度。

另外,作为下一代记录方式而被关注的其他的技术,还有一种微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是对磁记录介质的磁性层照射微波而使磁化方向从易磁化轴倾斜,使磁性层的磁化局部地反转来记录磁信息的方式。

与热辅助磁记录方式相同,在微波辅助磁记录方式中,作为磁性层的材料,可以使用由具有L10型结晶结构的合金所构成的高Ku磁性材料。

作为高Ku磁性材料,提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等规则合金等。另外,在磁性层中,为了将由上述规则合金构成的结晶粒隔断,作为晶界相材料添加有SiO2、TiO2等氧化物、或C、BN等。通过使其成为利用晶界相来分离磁性磁晶粒的粒状结构,从而能够降低磁粒子间的交换耦合,并能够实现高介质SN比。

近些年,有需求进一步的高记录密度化,为了提高记录密度,关于最佳的衬底层(基底层)的结构进行了研究。

作为进一步提高记录密度的方法,例如可举出设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法。并且,作为设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法,可举出使磁性层中的L10型规则合金取得良好的(001)取向的方法。对于磁性层的取向,由于可以通过衬底层来控制,因此通过使用适当的衬底层,能够使L10型规则合金取得良好的(001)取向。

专利文献1中记载了通过在以(100)的结晶面平行于基板的方式而被控制的衬底层上形成L10型FePt合金而使该FePt合金取得(001)取向,其中该衬底层以MgO等为主成分。

另外,作为进一步提高记录密度的其他的方法,可举出缩小磁性层的粒径的方法,此时,需要一种具有即便使磁性层的磁性粒子的粒径微小化也可维持热稳定性的L10型晶体结构的合金。

例如,在专利文献2中记载了通过在由以Cr为主成分且含有Ti等的BCC结构的合金所构成的衬底层中添加B、Si、C,从而能够降低磁性层的磁耦合,并减小簇尺寸。

<现有技术文献>

<专利文献>

专利文献1:(日本)特开平11-353648号公报

专利文献2:国际公布第2011/021652号

发明内容

<本发明所要解决的技术问题>

然而,当使用上述专利文献1、2所公开的衬底层时,有时会在衬底层之间、衬底层与磁性层之间发生应力剥离,因此存在耐腐蚀性不足、可靠性低的问题。

鉴于上述现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。

<用于解决技术问题的方案>

本发明提供一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L10结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

<发明的效果>

根据本发明,能够提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。

附图说明

图1是本发明的第2实施方式的磁存储装置的结构图。

图2是本发明的第2实施方式的磁头的结构图。

图3是实施例1中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。

图4是实施例2中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。

符号说明

101、212 磁记录介质

100 磁存储装置

301、401 基板

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