[发明专利]磁记录介质及磁存储装置有效
| 申请号： | 201410363017.3 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104347087B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 丁香兰,庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
1.一种磁记录介质，其特征在于，具有：
基板；
多个衬底层，其形成在所述基板上；以及
磁性层，其以具有L10结构的FePt合金为主成分，
所述多个衬底层至少包括
第一衬底层，其由选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且选自W、Mo的一种以上的元素构成，以及
第二衬底层，其含有MgO，
所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层，且所述第二衬底层在所述第一衬底层上外延生长，
所述第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，
所述多个衬底层还包括第三衬底层，所述第三衬底层含有具有BCC结构的金属，
所述第一衬底层形成在所述第三衬底层上。
3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中，所述第三衬底层含有具有BCC结构的选自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的下述合金，该合金选自以W为主成分的合金及以Mo为主成分的合金。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其中，
所述磁性层以具有L10结构的FePt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C、B、B2O3、BN的至少一种物质。
5.一种磁存储装置，其特征在于，包括：
磁记录介质；以及
磁头，其将信息写入所述磁记录介质、并从所述磁记录介质读取信息，
所述磁记录介质具有
基板，
多个衬底层，其形成在所述基板上，以及
磁性层，其以具有L10结构的FePt合金为主成分，
所述多个衬底层至少包括
第一衬底层，其由选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且选自W、Mo的一种以上的元素构成，以及
第二衬底层，其含有MgO，
所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层，且所述第二衬底层在所述第一衬底层上外延生长，
所述第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。
6.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中，
所述多个衬底层还包括第三衬底层，所述第三衬底层含有具有BCC结构的金属，
所述第一衬底层形成在所述第三衬底层上。
7.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中，所述第三衬底层含有具有BCC结构的选自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的下述合金，该合金选自以W为主成分的合金及以Mo为主成分的合金。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的磁存储装置，其中，
所述磁性层以具有L10结构的FePt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C、B、B2O3、BN的至少一种物质。
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