[发明专利]多结太阳能电池外延结构、多结太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410361406.2 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105280746B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李华;吴文俊;颜建;王伟明;杨军 | 申请（专利权）人： | 江苏宜兴德融科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/036;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 杨娟奕 |
| 地址： | 214213 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多结太阳能电池外延结构，包括GaAs衬底；在GaAs衬底上的GalnP第一子电池；在GalnP第一子电池上的GaAs第二子电池；和在GaAs第二子电池上的lnGaAs第三子电池，其中，GaAs衬底采用(001)面偏＜100＞方向5～20度的偏角。在具有该偏角的衬底上生长的多结电池材料，可以在获得大禁带宽度(Al)GalnP材料的同时，减小lnGaAs电池应变缓冲层的缺陷密度，从而提高倒装多结太阳能电池的整体性能。另外公开了相应的多结太阳能电池及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多结太阳能电池外延结构，包括：GaAs衬底；在GaAs衬底上的GaInP第一子电池；在GaInP第一子电池上的GaAs第二子电池；和在GaAs第二子电池上的InGaAs第三子电池，其特征在于，GaAs衬底的偏角采用(001)面偏向(101)或(‑101)或(011)或(0‑11)面5～20度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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