[发明专利]多结太阳能电池外延结构、多结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种多结太阳能电池外延结构，包括：

GaAs衬底；

在GaAs衬底上的GaInP第一子电池；

在GaInP第一子电池上的GaAs第二子电池；和

在GaAs第二子电池上的InGaAs第三子电池，

其特征在于，GaAs衬底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面5～20度。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池外延结构，其特征在于，GaAs衬底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。

3.根据权利要求1或2所述的多结太阳能电池外延结构，其特征在于，所述多结太阳能电池还包括：

在GaAs衬底上的腐蚀截止层或剥离牺牲层；

所述GaInP第一子电池设置在所述腐蚀截止层或剥离牺牲层上；

在GaInP第一子电池上的第一隧穿结；

所述GaAs第二子电池设置在所述第一隧穿结上；

在GaAs第二子电池上的第二隧穿结；

在第二隧穿结上的GaInP或AlGaInAs第一缓冲层；

所述InGaAs第三子电池设置在所述第一缓冲层上；和

在InGaAs第三子电池上的接触层。

4.根据权利要求3所述的多结太阳能电池外延结构，其特征在于，所述多结太阳能电池还包括：

在InGaAs第三子电池和接触层之间的InGaAs第四子电池。

5.根据权利要求4所述的多结太阳能电池外延结构，其特征在于，所述多结太阳能电池还包括：

在InGaAs第三子电池上的第三隧穿结，

在第三隧穿结上的GaInP或AlGaInAs第二缓冲层；和

所述第四子电池设置在GaInP或AlGaInAs第二缓冲层上。

6.根据权利要求5所述的多结太阳能电池外延结构，其特征在于，所述多结太阳能电池还包括至少一个另外的子电池。

7.一种多结太阳能电池，包括：

GaInP第一子电池；

在GaInP第一子电池上的GaAs第二子电池；和

在GaAs第二子电池上的InGaAs第三子电池，

其特征在于，各个子电池的表面晶向为(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面5～20度。

8.根据权利要求7所述的多结太阳能电池，其中，各个子电池的表面晶向为(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。

9.一种多结太阳能电池的制备方法，包括步骤：

制备GaAs衬底；

在GaAs衬底上制备GaInP第一子电池；

在GaInP第一子电池上制备GaAs第二子电池；和

在GaAs第二子电池上制备InGaAs第三子电池，

其特征在于，所制备的GaAs衬底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面方向5～20度，在具有该偏角的GaAs衬底的表面上制备GaInP第一子电池。

10.根据权利要求9所述的多结太阳能电池的制备方法，其中，GaAs衬底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。