[发明专利]一种利用DRAM不良品的方法

摘要

本发明公开了一种利用DRAM不良品的方法，通过在工厂生产、系统自检和使用过程中动态检测DRAM中的错误Cell，记录记录缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系统访问时根据缺陷表格中记录的信息正确的访问无错误的Cell，通过动态增加缺陷列表来存储DRAM芯片的缺陷地址信息和替换地址信息，可实现将％80以上的DRAM废品颗粒变为可用颗粒，随着DRAM制程向纳米级发展，经济效益将会更加明显，且能够解决在DRAM颗粒在出厂后、使用中逐渐出现的错误，将使用过程中发现变坏的Cell的地址信息可以被动态地加入到缺陷表格中，从而延长系统的使用寿命。

主权项

一种利用DRAM不良品的方法，其特征在于：步骤1.1，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的Cell，并记录缺陷地址信息；步骤1.2，确定可替代步骤1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；步骤1.3，将步骤1.2和步骤1.1获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷表格，所述缺陷表格至少存储了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；步骤1.4，系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地址映射单元将替代地址替代缺陷地址实现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和正确性。