[发明专利]一种利用DRAM不良品的方法

权利要求书

1.一种利用DRAM不良品的方法，其特征在于：

步骤1.1，系统自检或自动测试机测试DRAM，查找DRAM中出现错误的Cell，并记录缺陷地址信息；

步骤1.2，确定可替代步骤1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；

步骤1.3，将步骤1.2和步骤1.1获取到的缺陷地址信息和替代地址信息创建缺陷表格，所述缺陷表格至少存储了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；

步骤1.4，系统访问DRAM，系统总线通过地址映射单元相访问DRAM，地址映射单元接收到系统总线请求的地址信息，查询缺陷表格，根据缺陷表格中的信息，判断当前访问的地址信息是否需要地址重映射，如果需要则通过地址映射单元将替代地址替代缺陷地址实现系统总线所要访问的地址转换成实际无缺陷的地址，保证系统总线访问地址的连续性和正确性。

2.根据权利要求1所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于还包括计算DRAM的有效地址范围，将DRAM原始物理Cell总数减去出现错误的Cell得到有效的Cell总数，实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统，系统根据该信息计算有效地址范围。

3.根据权利要求2所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM内部设置一个微处理器，微处理器设置有DRAM自检程序，系统上电后，微处理器自动执行DRAM自检程序，更新缺陷表格的信息，同时实现计算DRAM的有效地址范围，并将该信息反馈给系统。

4.根据权利要求3所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于所述的微处理器上还设有校验程序，校验在读/写DRAM过程中是否出现Cell错误，如果出现Cell错误，则记录缺陷地址信息并确定可替代Cell的替代地址信息，更新缺陷表格信息。