[发明专利]一种通孔刻蚀不足的检测方法有效
| 申请号： | 201410357129.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091769B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔刻蚀不足的检测方法，包括在半导体衬底上建立多个测试模块，其中每一个测试模块模拟SRAM器件结构，其包括两个模拟传输门晶体管，两个模拟上拉晶体管和两个模拟下拉晶体管，该模拟传输门晶体管、模拟上拉晶体管和模拟下拉晶体管均为在N阱中的PMOS器件且模拟传输门晶体管的有源区上未形成栅极；在每一个测试模块上形成多个接触孔并填充金属，其中接触孔至少连接模拟传输门晶体管的有源区中对应于栅极的位置；在各接触孔上形成金属互连线以及导电通孔；以及通过电子束缺陷扫描仪在正电势条件下扫描测试模块并根据扫描得到的影像特征图检测测试模块的通孔刻蚀不足缺陷。本发明能够提高刻蚀不足缺陷的抓取率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 不足 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔刻蚀不足的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在半导体衬底上建立多个测试模块，每一所述测试模块模拟SRAM器件结构，其包括两个模拟传输门晶体管，两个模拟上拉晶体管和两个模拟下拉晶体管，其中所述模拟传输门晶体管、模拟上拉晶体管和模拟下拉晶体管均为在N阱中的PMOS器件且所述模拟传输门晶体管的有源区上未形成栅极；S2：在每一所述测试模块上形成多个接触孔并填充金属，所述接触孔至少连接所述模拟传输门晶体管的有源区中对应于栅极的位置；S3：在各所述接触孔上形成金属互连线以及导电通孔；以及S4：通过电子束缺陷扫描仪在正电势条件下扫描所述测试模块并根据扫描得到的影像特征图检测所述测试模块的通孔刻蚀不足缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
