[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201410357124.5 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104733581A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 | 申请（专利权）人： | 李德财 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包含：一个磊晶基材、一层发光层、一层电子穿隧层、一层电流扩散层，及一个电极单元，该电子穿隧层选自AlxIn1-xN，0<x<1为材料所构成且厚度不大于20nm，借由该电子穿隧层的材料选择及厚度控制，令电子可借由穿隧效应，自该电流扩散层传递至该电子穿隧层，而可有效使得自该电流扩散层的电流可经由该电子穿隧层均匀且有效率的注入至该发光层，而可提升该发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包含一个磊晶基材、一层发光层，与该磊晶基材的其中一表面连接，选自铝铟氮或是铝铟镓氮系列的发光材料所构成，于接收电能时可发出波长小于400nm的光、一层电流扩散层，及一个电极单元，用以配合提供电能至该发光层，其特征在于：该发光二极管包含一层介于该发光层与该电流扩散层间的电子穿隧层，该电子穿隧层的厚度不大于20nm，由AlxIn1‑xN系半导体材料，0<x<1构成，该电子穿隧层的能隙大于该发光层的能隙，且该电流扩散层与该电子穿隧层呈欧姆接触。
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