[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、背N+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、P‑缓冲层、栅电极和集电极，N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，N+扩散残留层和N+缓冲层从N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N‑基区上设置了N+残留层，有效地提高了N型正面的离子掺杂浓度，有效地提高了器件对电流的处理能力，从而降低了器件的导通饱和压降；而在背面依上而下设置的N+缓冲层、P‑缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区构成了嵌入的NPN晶体管，起到了一个少子的快速通道的作用，帮助少子能尽快地扫出N‑基区，从而减少了器件的关断时间与关断损耗。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述的绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区包括依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加，其特征在于：所述的绝缘栅双极型晶体管进一步设有P‑缓冲层、背N+集电极区，所述的P‑缓冲层位于N+缓冲层和背P+集电极区之间，所述的背N+集电极区位于背P+集电极区的两端；所述的N‑基区掺杂浓度为恒定的；所述的制备方法包括：（1）在N型单晶硅两侧通过高温扩散分别形成第一N+扩散区和第二N+扩散区；（2）分别对第一N+扩散区和第二N+扩散区进行加工形成N+扩散残留层和N+缓冲层；（3）在N+扩散残留层上形成P型基区、N+发射极区、发射极；（4）在N+缓冲层上通过注入离子形成P‑缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区，背P+集电极区与背N+集电极区金属化后形成集电极；所述的N+缓冲层是对第二N+扩散区使用减薄工艺制得的。