[发明专利]电阻可变型存储器及其写入方法有效
| 申请号： | 201410352443.7 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105304129B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够进行可靠性高的设置及重设的写入的电阻可变型存储器及其写入方法。本发明的电阻可变型存储器包括：存储器阵列，包含将可逆性且非易失性的可变电阻元件与选择用晶体管串联连接在位线(BL)与源极线(SL)之间而成的存储元件；行选择部，选择行方向的选择用晶体管；列选择部，选择列方向的可变电阻元件；及控制部，控制可变电阻元件的写入。控制部对所选择的位线及源极线施加用来重设可变电阻元件的偏压电压，且对所选择的选择用晶体管的栅极施加电压逐渐增加的脉冲。防止经重设的可变电阻元件中流通过剩的电流。通过抑制经重设的可变电阻元件的过剩电流，可抑制可变电阻元件劣化的速度，而且使可变电阻元件的设置变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变型 存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻可变型存储器，其特征在于包括：存储器阵列，包含将可逆性且非易失性的可变电阻元件与选择用晶体管串联连接在位线与源极线之间而成的存储元件；行选择部，选择行方向的选择用晶体管；列选择部，选择列方向的可变电阻元件；及控制部，控制可变电阻元件的写入；且所述控制部对所选择的位线及源极线施加用来重设或设置可变电阻元件的第一偏压电压，且对由所述行选择部选择的选择用晶体管的栅极施加脉冲，其中所述控制部对所述可变电阻元件进行设置时，对被选择的选择用晶体管的栅极所施加的脉冲的电压是逐渐增加的；且所述控制部包含检验经重设及设置的可变电阻元件是否合格的验证部，以对判定为不合格的可变电阻元件重新施加所述脉冲与第二偏压电压，其中所述验证部对所述经设置的可变电阻元件施加的所述第二偏压电压小于所述经设置的可变电阻元件于设置时被施加的所述第一偏压电压。
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