[发明专利]新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件

摘要

本发明提供了一种新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件。新型薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极；衬底；栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的MgxZn1‑xO沟道层，其中0≤x≤1；其还包括布置在所述MgxZn1‑xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成。本发明的MgxZn1‑xO新型薄膜晶体管，通过在沟道层和源极之间设置第二绝缘层作为势垒层，结合晶体管栅压的极性调控作用，改变了传统的晶体管特性，具有新颖的I‑V特性，构成新颖的器件结构，可应用于不同的光电子和微电子器件领域。

主权项

一种新型薄膜晶体管，包括：栅极、源极以及漏极；衬底；栅绝缘层；和布置在所述栅绝缘层上的MgxZn1‑xO沟道层，其中0≤x≤0.5；其特征在于，还包括：布置在所述MgxZn1‑xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成；其中，所述栅绝缘层由MgyZn1‑yO薄膜层形成，其中y≥0.5；或者，所述栅绝缘层由BeO薄膜层和位于所述BeO薄膜层上的MgyZn1‑yO薄膜层形成，其中y≥0.5。