[发明专利]新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件有效
| 申请号： | 201410349844.7 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104134700B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;叶大千;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,郭海彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 薄膜晶体管 光电子 器件 微电子 | ||
1.一种新型薄膜晶体管，包括：
栅极、源极以及漏极；
衬底；
栅绝缘层；和
布置在所述栅绝缘层上的MgxZn1-xO沟道层，其中0≤x≤1；
其特征在于，还包括：
布置在所述MgxZn1-xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成。
2.根据权利要求1所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述MgxZn1-xO沟道层由未掺杂的MgxZn1-xO材料形成；或者所述MgxZn1-xO沟道层由掺杂的MgxZn1-xO材料形成。
3.根据权利要求1所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述栅绝缘层由MgxZn1-xO薄膜层形成，其中x≥0.5；或者，
所述栅绝缘层由BeO薄膜层和位于所述BeO薄膜层上的MgxZn1-xO薄膜层形成，其中x≥0.5。
4.根据权利要求3所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述第二绝缘层的材料与所述栅绝缘层相同。
5.根据权利要求4所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述第二绝缘层的材料为氧化物绝缘材料。
6.根据权利要求4或5所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述第二绝缘层的厚度为5-300nm。
7.根据权利要求6所述的新型薄膜晶体管，其特征在于，
所述衬底由导电材料形成；可选地，所述导电材料选自ZnO、钛酸锶、Si或GaAs。
8.一种光电子器件，包括权利要求1-7中任一项所述的新型薄膜晶体管；可选地，所述光电子器件为紫外探测器或紫外传感器。
9.一种微电子器件，包括权利要求1-7中任一项所述的新型薄膜晶体管；可选地，所述微电子器件为反相器。
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