[发明专利]一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺及设备

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，包括：将制绒的硅片放入反应离子刻蚀设备中，反应离子刻蚀设备包括气体系统和电极平板，气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体；将硅片置于电极平板中，通入反应气体和刻蚀气体对硅片的正面绒面进行刻蚀处理；通入保护气体，保护气体与硅片的侧壁反应形成保护层，硅片于正面绒面的垂直方向的刻蚀速率大于侧璧的刻蚀速率；所述硅片的正面绒面形成微结构；其中，反应气体为O₂，刻蚀气体为SF₆，保护气体为C₄F₈。相应的，本发明还提供一种应用上述刻蚀工艺的反应离子刻蚀设备。采用本发明，大幅提高了电池短路电流，增加了电池发电效率。

主权项

一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，包括： 将制绒的硅片放入反应离子刻蚀设备中，所述反应离子刻蚀设备包括气体系统和电极平板，所述气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体；将硅片置于电极平板中，通入反应气体和刻蚀气体对硅片的正面绒面进行刻蚀处理；通入保护气体，所述保护气体与硅片的侧壁反应形成保护层，所述硅片于正面绒面的垂直方向的刻蚀速率大于侧璧的刻蚀速率；所述硅片的正面绒面形成微结构；其中，所述反应气体为O₂，所述刻蚀气体为SF₆，所述保护气体为C₄F₈。