[发明专利]一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺及设备

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，包括： 

将制绒的硅片放入反应离子刻蚀设备中，所述反应离子刻蚀设备包括气体系统和电极平板，所述气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体；

将硅片置于电极平板中，通入反应气体和刻蚀气体对硅片的正面绒面进行刻蚀处理；

通入保护气体，所述保护气体与硅片的侧壁反应形成保护层，所述硅片于正面绒面的垂直方向的刻蚀速率大于侧璧的刻蚀速率；

所述硅片的正面绒面形成微结构；

其中，所述反应气体为O₂，所述刻蚀气体为SF₆，所述保护气体为C₄F₈。

2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，所述刻蚀气体SF₆的流量设置为8~18 cm³/min，所述反应气体O₂的流量设置为2~13cm³/min，所述保护气体C₄F₈的流量设置为8~18 cm³/min。

3.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，通入刻蚀气体SF₆的时间设置为2~8 秒，通入反应气体O₂的时间设置为2~8 秒，通入保护气体C₄F₈的时间设置为1~7 秒。

4.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，所述微结构的深宽比≧20:1。

5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，所述电极平板的功率设置为80~130 W；

所述电极平板包括阴极和阳极，所述阴极与射频电源相连接，所述射频电源的功率设置为350~400 W。

6.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，其特征在于，所述反应离子刻蚀设备包括真空系统，所述真空系统将反应离子刻蚀设备的压强控制为5~8 Pa。

7.一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀设备，其特征在于，包括电极平板、气体系统和射频电源，所述电极平板包括阴极和阳极，所述阴极与射频电源相连接，所述气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体，所述反应气体为O₂，所述刻蚀气体为SF₆，所述保护气体为C₄F₈。

8.如权利要求7所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述气体系统在通入刻蚀气体SF₆的时间设置为2~8 秒，所述刻蚀气体SF₆的流量设置为8~18cm³/min；

通入反应气体O₂的时间设置为2~8 秒，所述反应气体O₂的流量设置为2~13cm³/min；

通入保护气体C₄F₈的时间设置为1~7 秒，所述保护气体C₄F₈的流量设置为8~18 cm³/min。

9.如权利要求7所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述电极平板的功率设置为80~130 W；所述射频电源的功率设置为350~400 W。

10.如权利要求7所述的晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述反应离子刻蚀设备包括真空系统，所述真空系统将反应离子刻蚀设备的压强控制为5~8 Pa。