[发明专利]具有沟槽场板的高压双极型晶体管

摘要

本发明涉及具有沟槽场板的高压双极型晶体管。一种双极型晶体管结构包括半导体衬底上的外延层；在外延层中形成的双极型晶体管器件；以及在外延层中形成的沟槽结构，与双极型晶体管器件的至少两个相对的横向侧面相邻。该沟槽结构包括通过绝缘材料而与外延层隔开的场板。该双极型晶体管结构进一步包括基极触点，连接到双极型晶体管器件的基极；发射极触点，连接到双极型晶体管器件的发射极并且与所述基极触点隔离；以及在发射极触点和场板之间的电气连接。

主权项

一种集成晶体管结构，包括：半导体衬底上的外延层；在所述外延层的第一区中形成的功率晶体管，具有漏极区、源极区和短接到所述源极区的体区；在所述外延层的第二区中形成的具有集电极、基极和发射极的双极型晶体管，与所述功率晶体管隔开；第一沟槽结构，在所述外延层中形成为与所述功率晶体管的至少两个相对的横向侧面相邻，所述第一沟槽结构包括通过绝缘材料而与所述功率晶体管的沟道区隔开的栅极电极；第二沟槽结构，在所述外延层中形成为与所述双极型晶体管的至少两个相对的横向侧面相邻，所述第二沟槽结构包括通过绝缘材料而与所述外延层隔开的沟槽电极；其中所述栅极电极、所述双极型晶体管的基极、以及所述双极型晶体管的发射极连接到彼此隔离的不同触点；以及其中所述发射极和所述沟槽电极处于相同的电位。