[发明专利]非晶/纳米晶碳化硅块体陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201410341741.6 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104086179A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨治华;梁斌;贾德昌;段小明;蔡德龙;张茜;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 非晶/纳米晶碳化硅块体陶瓷及其制备方法。本发明涉及碳化硅陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有碳化硅陶瓷材料的制备方法存在的添加烧结助剂进行热压/无压烧结过程中，烧结温度高，高温力学性能不理想，先驱体转化法的成本高，块体陶瓷不致密以及无法获得非晶或者含有极少量纳米级析出相的非晶/纳米晶块体陶瓷的问题。产品：由硅粉和石墨粉制成。方法：先将硅粉和石墨粉进行球磨，然后进行烧结，得到非晶/纳米晶碳化硅块体陶瓷。本发明产品相对密度为93.0～97.0％，硬度为31.4～42.4GPa，弹性模量为338.5～428.2GPa；本发明方法原料易得，周期短，降低了烧结温度，成本降低至少一半。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 碳化硅 块体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
非晶/纳米晶碳化硅块体陶瓷，其特征在于非晶/纳米晶碳化硅块体陶瓷按照Si:C摩尔比为1:(0.8～1.2)的比例由纯度为99％～99.9％的硅粉和纯度为99％～99.9％的石墨粉制成，所述的硅粉的粒径为1μm～20μm；所述的石墨粉的粒径为1μm～20μm。
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