[发明专利]高压吹气分离高杂质熔硅的装置及其方法有效
| 申请号： | 201410339744.6 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104131344A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;姜大川;林海洋;温书涛 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 曲宝威 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 高压吹气分离高杂质熔硅的装置及其方法，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩埚，在炉体内位于坩埚周边设有与系统控制装置相接的加热体，在炉体上方有与供气装置相接的吹气管，吹气管的出气端头朝向坩埚内侧的底面并分布在坩埚的中心与坩埚内侧面之间。向坩埚内装入多晶硅料，关闭炉体的腔室，抽高真空，真空度小于0.1Pa；加温熔化；长晶；通过供气装置利用吹气管向硅液顶部先后吹热和冷的保护气体，使熔硅向坩埚的中心和边缘聚集，形成凸起，然后凝固，冷却至出炉温度后出炉，去除高密杂质的凸起部分。具有提高出成率和降低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 吹气 分离 杂质 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种高压吹气分离高杂质熔硅的装置，包括炉体（3），在炉体（3）内下部设有石墨底座（4），在石墨底座（4）上配有装入多晶硅料的坩锅（2），在炉体（3）内位于坩锅（2）周边设有与系统控制装置相接的加热体（1），其特征在于：在炉体（3）上方有与供气装置相接的吹气管（7），吹气管（7）的出气端头朝向坩锅（2）内侧的底面并分布在坩锅（2）的中心与坩锅内侧面之间。
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