[发明专利]RRAM器件的顶电极阻挡层

摘要

一种集成电路器件包括形成在衬底上方的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括具有上表面的顶电极。阻挡层覆盖上表面的一部分。通孔延伸在电介质的基质内的顶电极之上。顶电极的上表面包括与阻挡层交界的区域和与通孔交界的区域。与通孔交界的上表面的区域环绕与阻挡层交界的上表面的区域。当以这种方式构建时，在加工期间，阻挡层用以保护RRAM单元不受蚀刻破坏，从而不干扰上面的通孔和顶电极之间的接触。本发明包括RRAM器件的顶电极阻挡层。

主权项

一种集成电路器件，包括：电阻式随机存取存储器RRAM单元，包括通过RRAM介电层隔离的顶电极和底电极；阻挡层，位于所述RRAM单元上方；以及通孔，位于所述RRAM单元上方；其中，所述RRAM单元的顶电极在其上表面中具有凹槽；所述阻挡层位于所述凹槽内；以及所述通孔与所述阻挡层的区域上方的所述凹槽内的所述顶电极接触。