[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410333557.7 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336570A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吴鑫;朱印伍 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，在基片上刻蚀图形，且在刻蚀过程中，通过降低基片表面温度以及降低下电极功率，来增大剖面图形的底宽；过刻蚀步骤，继续刻蚀基片，同时通过提高基片表面温度以及提高下电极功率，来增大剖面图形的高度，同时修饰图形形貌；其中，主刻蚀步骤在掩膜开始横向收缩时结束，同时开始进行过刻蚀步骤。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以获得较理想的图形形貌，而且该剖面图形的底宽和高度均可以满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，在基片上刻蚀图形，且在刻蚀过程中，通过降低基片表面温度以及降低下电极功率，来增大剖面图形的底宽；过刻蚀步骤，继续刻蚀基片，同时通过提高基片表面温度以及提高下电极功率，来增大剖面图形的高度，同时修饰图形形貌；其中，所述主刻蚀步骤在掩膜开始横向收缩时结束，同时开始进行所述过刻蚀步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
