[发明专利]背照式图像传感器中的像素隔离结构有效

专利信息
申请号: 201410333491.1 申请日: 2014-07-14
公开(公告)号: CN104465679B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 杨士毅 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了用于制造包括像素阵列的背照式图像传感器的系统和方法。一种示例图像传感器包括第一像素、第二像素和隔离结构。第一像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到衬底的背侧上的光而产生电荷载流子。第二像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到衬底的背侧上的光而产生电荷载流子。隔离结构设置为将第二像素与第一像素分隔开并且从衬底的背侧向着衬底的前侧延伸。隔离结构包括基本上垂直于衬底的前侧的侧壁。本发明提供背照式图像传感器中的像素隔离结构。
搜索关键词: 背照式 图像传感器 中的 像素 隔离 结构
【主权项】:
一种包括像素阵列的背照式图像传感器,包括:第一像素,设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到所述衬底的背侧上的光而产生电荷载流子;第二像素,设置在所述衬底的前侧并且配置为响应于入射到所述衬底的背侧上的光而产生电荷载流子;抗反射层,设置在所述衬底的背侧上;以及第一隔离结构,设置为将所述第二像素与所述第一像素分隔开,所述第一隔离结构从所述衬底的背侧向着所述衬底的前侧延伸,其中,所述第一隔离结构包括基本上垂直于所述衬底的前侧的第一侧壁;其中,所述第一隔离结构分离对应于所述第一像素的所述抗反射层的一个区域和对应于所述第二像素的所述抗反射层的另一区域。
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