[发明专利]一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410331908.0 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280767B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 林宇杰 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法，所述垂直LED芯片结构包括蓝宝石衬底；发光外延结构，结合于所述蓝宝石衬底表面，包括N型层、量子阱层及P型层，且所述发光外延结构去除了周侧区域的P型层及量子阱层，露出该周侧区域的N型层；P电极，结合于所述P型层表面；绝缘层，结合于所述P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁；透明导电层，包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及所述周侧区域的N型层。本发明不需要剥离蓝宝石衬底，工艺简单，成本较低；发光时，电流能从N型层的表面及侧壁流通，最终流向蓝宝石衬底的背面，可以提高LED发光电流的均匀度。本发明结构和工艺步骤简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 垂直 led 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：1)于蓝宝石衬底表面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2)定义LED芯片，去除各LED芯片的发光外延结构周侧区域的P型层及量子阱层，以露出N型层；3)于各LED芯片的P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁形成绝缘层，并制作P电极；4)依据各LED芯片进行切割裂片，获得独立的LED芯片；5)采用蒸镀法于各独立的LED芯片中形成包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及周侧区域的N型层表面的透明导电层。
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