[发明专利]一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

1)于蓝宝石衬底表面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；

2)定义LED芯片，去除各LED芯片的发光外延结构周侧区域的P型层及量子阱层，以露出N型层；

3)于各LED芯片的P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁形成绝缘层，并制作P电极；

4)依据各LED芯片进行切割裂片，获得独立的LED芯片；

5)采用蒸镀法于各独立的LED芯片中形成包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及周侧区域的N型层表面的透明导电层。

2.根据权利要求1所述的带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于：步骤1)采用化学气相沉积法于所述蓝宝石衬底表面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构，所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层，所述P型层为P-GaN层。

3.根据权利要求1所述的带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于：步骤2)去除各LED芯片的发光外延结构周侧区域的P型层及量子阱层后，所保留的P型层及量子阱层的形状包括矩形、圆形或三角形。

4.根据权利要求1所述的带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于：步骤3)包括以下步骤：

3-1)采用等离子体增强化学气相沉积于各LED芯片的P型层表面、P型层与量子阱层侧壁、及周侧区域的N型层表面形成二氧化硅层，作为绝缘层；

3-2)采用刻蚀工艺去除P型层表面的部分二氧化硅层，形成P电极制备区域，并同时去除周侧区域的N型层表面的二氧化硅层；

3-3)于所述P电极制备区域制作P电极。

5.根据权利要求1所述的带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构的制造方法，其特征在于：步骤5)步骤以下步骤：

5-1)将各独立的LED芯片进行翻转，使蓝宝石衬底一面朝上；

5-2)采用蒸镀法于各独立的LED芯片中形成包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及周侧区域的N型层的透明导电层；

5-3)进行退火工艺使所述透明导电层与所述N型层侧壁及周侧区域的N型层形成欧姆接触。