[发明专利]半导体器件以及改善半导体器件的击穿电压的方法在审
| 申请号： | 201410328473.4 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104282745A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼;B·P·O·O·汉娜伊德;S·P·威斯顿;W·A·拉尼;D·P·迈克奥里菲 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，具有与半导体层毗连的第一层，还包括至少一个场修正结构，所述场修正结构定位成使得，在使用时，所述场修正结构处的电位使得修正所述半导体层与所述第一层之间的界面区域处的E场向量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 改善 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件，其具有与半导体层毗连的第一层，还包括至少一个场修正结构，所述场修正结构定位成使得，在使用时，所述场修正结构处的电位使得修正所述半导体层和所述第一层之间的界面区域处的E场向量。
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