[发明专利]一种AMOLED像素电路及其驱动方法

摘要

本发明公开了一种AMOLED像素电路，包括呈n行m列矩阵分布的像素单元电路与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路，所述的像素单元电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，n、m为自然数，本发明把像素单元电路内部补偿转化为外部补偿的方式，降低了背板制作难度，成功地将AMOLED像素结构所需的（m T+n C）简化为2T+1C，从而使AMOLED实现了高分辨率（＞500ppi），同时采用P‑type薄膜晶体管制作技术，减少MASK数量，降低了背板的制作成本。

主权项

1.一种AMOLED像素电路，其特征在于，包括呈n行m列矩阵分布的像素单元电路与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路，所述的像素单元电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，n、m为自然数，其中，第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5的栅极连接Scan1(n)扫描线，第二薄膜晶体管T2的漏极连接数据线Dataline，第二薄膜晶体管T2的源极连接第一薄膜晶体管T1的栅极与第一电容C1一端；发光管D正端连接电源，发光管D负端连接第一薄膜晶体管T1的漏极；第一电容C1的另一端与第四薄膜晶体管T4的源极连接第五薄膜晶体管T5的漏极，第一薄膜晶体管T1源极连接第三薄膜晶体管T3的漏极，第三薄膜晶体管T3的源极连接第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6的漏极，第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6的源极接地，第三薄膜晶体管T3与第六薄膜晶体管T6的栅极分别连接Scan2(n)与Scan3(n)扫描线，所述第四薄膜晶体管T4的源极与漏极之间并联有第二电容C2且第四薄膜晶体管T4的栅极连接Scan1(n‑1)扫描线。