[发明专利]一种AMOLED像素电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素电路，其特征在于，包括呈n行m列矩阵分布的像素单元电路与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路，所述的像素单元电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，n、m为自然数，其中，

第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5的栅极连接Scan1(n)扫描线，第二薄膜晶体管T2的漏极连接数据线Dataline，第二薄膜晶体管T2的源极连接第一薄膜晶体管T1的栅极与第一电容C1一端；发光管D正端连接电源，发光管D负端连接第一薄膜晶体管T1的漏极；第一电容C1的另一端与第四薄膜晶体管T4的源极连接第五薄膜晶体管T5的漏极，第一薄膜晶体管T1源极连接第三薄膜晶体管T3的漏极，第三薄膜晶体管T3的源极连接第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6的漏极，第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6的源极接地，第三薄膜晶体管T3与第六薄膜晶体管T6的栅极分别连接Scan2(n)与Scan3(n)扫描线，所述第四薄膜晶体管T4的源极与漏极之间并联有第二电容C2且第四薄膜晶体管T4的栅极连接Scan1(n-1)扫描线。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述的发光管D为有机发光二极管。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述的第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，所述的第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6为开关薄膜晶体管。

4.一种根据如权利要求1-3任一所述的AMOLED像素电路的驱动方法,其特征在于，该方法包括:

1）第二电容C2重置，所述的第二电容C2重置包括：

第一薄膜晶体管T1、第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6导通，第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5断开；

以第（n-1）条扫描线控制第n条扫描线上的第四薄膜晶体管T4；

2）第二电容C2充电，所述的第二电容C2充电包括：

第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3与第五薄膜晶体管T5导通，第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6断开；

数据线Dataline输入一固定电压Vlow；

3）第一电容C1充电，所述的第一电容C1充电包括：

第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5导通，第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6断开；

数据线Dataline输入所需要的灰阶电压；

4）第一电容C1与第二电容C2串联；所述的第一电容C1与第二电容C2串联包括：

第一薄膜晶体管T1与第六薄膜晶体管T6导通,第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4与第五薄膜晶体管T5断开；

5）发光管D发光，所述的发光管D发光包括：

第一薄膜晶体管T1、第三薄膜晶体管T3与第六薄膜晶体管T6导通,第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5断开。